Samsung представила на Computex 2026 прототип памяти HBM5 Stack

Samsung Electronics — первые шаги к HBM5

Недавно Samsung Electronics объявила о начале поставок образцов памяти HBM4E, но в то же время уже активно разрабатывает следующую генерацию – HBM5. На выставке Computex 2025 компания показала лишь крупный макет чипа HBM5, чтобы дать общее представление о его структуре. Уже сейчас видно, что технология будет сложной и требовательной.

Ключевые детали разработки

Технический директор подразделения Samsung Electronics Сон Чжэ Хёк (Song Jaehyuk) подтвердил участие компании в разработке и внедрении этих технологий. Наличие контрактного подразделения позволяет удовлетворять требования самых строгих клиентов, включая Nvidia.

Сравнение с HBM4E

* HBM4E использует 4‑нм базовый кристалл и техпроцесс 1c для изготовления DRAM‑чипов, формирующих стек памяти.
* HBM5 предложит:
* Более тонкий кристалл (2 нм) и более гибкое число слоёв (12–20).
* Heat Path Block (HPB) – теплоотводной канал для эффективного охлаждения.
* Увеличенную скорость обмена данными благодаря улучшенной архитектуре.

Технология HPB уже отлажена на примере HBM4E, и Samsung планирует использовать продвинутые методы отвода тепла для повышения стабильности памяти. Массовое производство HBM5 запланировано с 2028 года, а в рамках HBM5E кристаллы DRAM будут производиться по более продвинутому техпроцессу 1d.

Что делают конкуренты

* SK hynix использует схожую технологию охлаждения – iHBM. Это означает, что решение Samsung не является уникальным в плане теплоотвода.
* SK hynix также внедряет 2‑нм чипы в составе HBM5 и планирует массовое производство с использованием iHBM.

Итог

Samsung Electronics уже разрабатывает HBM5 на базе 2‑нм техпроцесса, предусматривая до 20 слоёв DRAM и инновационный теплоотвод HPB. Массовый выпуск запланирован на 2028 г., а конкуренты, такие как SK hynix, применяют аналогичные решения (iHBM). В целом, Samsung демонстрирует уверенность в освоении технологий ниже 1 нм и готовность удовлетворять требования крупнейших клиентов.