Samsung и SK Hynix инвестировали почти миллиард долларов в рост производства памяти в Китае в прошлом году
Как южнокорейские гиганты памяти удерживают доступ к американскому оборудованию и развивают производство в Китае
Во время президентства Джо Байдена власти США пытались ограничить возможность южнокорейских производителей расширять свои заводы в Китае. Эти фабрики являются ключевыми для поставок микросхем памяти на мировой рынок. Тем не менее Samsung и SK Hynix сумели сохранить доступ к американскому оборудованию, одновременно инвестируя в модернизацию своих китайских предприятий.
1. Samsung Electronics
| Показатель | Данные |
|---|---|
| Инвестиции в Сиань (2023) | $344 млн |
| Рост по сравнению с 2022 г. | +67,5 % |
| Роль завода | Единственная зарубежная площадка Samsung для NAND‑памяти; обеспечивает до 40 % мирового объёма продукции |
| История инвестиций | После вложения $464 млн в 2019 году компания не осуществляла крупные финансирования четыре года. В 2024 году было выделено $184 млн, а в прошлом году сумма была увеличена почти вдвое. |
Таким образом, Сиань стал стратегическим центром для Samsung, особенно учитывая рост спроса на память в эпоху искусственного интеллекта.
2. SK Hynix
| Показатель | Данные |
|---|---|
| Общие инвестиции в Китае (2023) | более $663 млн |
| Заводы | – DRAM‑завод в Уси; – 3D‑NAND‑фабрика в Даляне, купленная у Intel в 2022 г. |
| Инвестиции в Уси (2023) | удвоены до $190 млн |
| Инвестиции в Далайн (2023) | $293 млн (полтора раза больше 2024‑го года) |
| Экономический вес | ≈1 триллион южнокорейских вон – значимая сумма для компании |
SK Hynix активно расширяет производство DRAM и 3D‑NAND, чтобы удовлетворить растущий спрос на память от ИИ и облачных сервисов.
3. Технологические планы
| Компания | Планируемый продукт | Где будет производиться |
|---|---|---|
| Samsung | 236‑слойная 3D‑NAND (переход с 128‑слойной) | Китай |
| Samsung | 400‑слойная 3D‑NAND | Южная Корея |
| SK Hynix | Перевод DRAM‑завода в Уси на четвертое поколение 10‑нм (1a) | Уси, Китай |
- Samsung намерена запустить более продвинутую память 236‑слойной в Китае, что позволит ей оставаться конкурентоспособной несмотря на ограничения технологического развития страны.
- SK Hynix планирует обновить техпроцесс DRAM‑завода в Уси до 10‑нм (1a), что обеспечит эффективное производство DDR5. Завод уже отвечает более чем за 30 % мирового объёма DRAM компании.
Итог
Несмотря на усилия США ограничить доступ южнокорейских производителей к американскому оборудованию, Samsung и SK Hynix продолжают инвестировать сотни миллионов долларов в Китай. Это позволяет им сохранять конкурентоспособность, расширять производство NAND‑памяти и DRAM и готовиться к будущему росту спроса, особенно в сфере искусственного интеллекта.
Asted Cloud
Комментарии (0)
Оставьте отзыв — пожалуйста, будьте вежливы и по теме.
Войти, чтобы комментировать