Kioxia нашла способ обойти конкурентов, минуя увеличение слоёв NAND
Кипрская память 3D‑NAND: как Kioxia пытается догнать лидеров
*Технология многослойной памяти, впервые предложенная Toshiba в 2007 году, до сих пор не даёт японскому производителю конкурентного преимущества. Чтобы компенсировать отставание в количестве слоёв, компания разрабатывает собственную технологию соединения кремниевых пластин – CBA (Chip‑Bonded Array).*
Что такое CBA и зачем она нужна
- Традиционный подход
В классических NAND‑чипах управляющая логика размещалась на той же подложке, что и ячейки памяти. Это ограничивало плотность: чем больше слоёв, тем выше стоимость и сложность производства.
- Новая идея Kioxia
С помощью CBA управляющая пластина отделяется от пластины с ячейками и затем соединяется к ней на уровне микроскопических контактов. Это позволяет «приклеивать» несколько слоёв памяти к одной управляемой плате, не увеличивая число слоёв на отдельной подложке.
- Преимущества
- Увеличение ёмкости без роста количества слоёв.
- Возможность более гибкой архитектуры чипа.
- Снижение затрат на производство высоких плотностей.
Текущие цифры рынка
| Параметр | Kioxia (3D‑NAND) | Конкуренты |
|---|---|---|
| Количество слоёв | ~218 | >300, стремятся к 400 |
| Скорость чтения/записи | +20–30 % по сравнению с аналогами | – |
Kioxia уже применяет CBA в своих «флагманских» продуктах. Тем не менее компания остаётся на третьем месте в сегменте твердотельной памяти, уступая южнокорейским гигантам (Samsung, SK Hynix). Позиции Kioxia в прибыльном и быстро растущем серверном рынке пока слабы.
Что это значит для будущего
- Потенциал роста
Если технология CBA действительно позволит достичь более высокой плотности без существенного удорожания, Kioxia может изменить баланс сил на рынке NAND‑памяти.
- Ключевой фактор – точность соединения
Для массового производства критически важна высокая точность позиционирования пластин. По словам аналитиков, именно в этом направлении Kioxia опережает конкурентов.
Итог
Kioxia продолжает бороться с отставанием в количестве слоёв, внедряя инновационную технологию CBA, которая обещает увеличить ёмкость и скорость работы NAND‑чипов. Пока результаты не полностью перевернули рынок, но новые решения могут стать решающим фактором в борьбе за лидерство в сегменте твердотельной памяти.
Комментарии (0)
Оставьте отзыв — пожалуйста, будьте вежливы и по теме.
Войти, чтобы комментировать