Intel в сотрудничестве с SoftBank планирует запустить замену памяти HBM уже к 2029 году
SoftBank и Intel планируют вывести на рынок новую память Z‑Angle Memory (ZAM) к 2029 году
| Что | Как это реализуется |
|---|---|
| Ответственные компании | SoftBank – через дочернюю фирму Saimemory, которая будет заниматься разработкой и продажами. Intel предоставит технологии производства и упаковки. |
| Участие других игроков | Fujitsu из Японии участвует в проекте. |
Почему нужна Z‑Angle Memory
* Проблемы существующей HBM:
- Очень дорогая и энергопотребляющая.
- При росте объёмов производства HBM классический DRAM страдает от нехватки ресурсов.
* Цель Z‑AM – предложить более экономичную, энергоэффективную альтернативу, сохраняя при этом высокую плотность данных.
Технические особенности
| Параметр | Описание |
|---|---|
| Структура | Стек из нескольких ярусов микросхем (подобно HBM), но с более продвинутыми методами упаковки и архитектурой. |
| Плотность | Удельная ёмкость стека в 2‑3 раза выше, чем у HBM. |
| Энергопотребление | Сокращено примерно вдвое по сравнению с HBM. |
| Стоимость производства | Ожидается либо сохранение текущего уровня цен, либо снижение на до 40 %. |
Технология упаковки
* Intel предлагает технологию NGDB (Next‑Generation Die Bonding), которая повышает энергетическую эффективность памяти ZAM по сравнению с HBM.
* В прототипах уже реализовано восемь ярусов DRAM поверх базового кристалла.
План запуска
1. Промежуточные прототипы – демонстрация до конца марта 2028 года.
2. Массовое производство – начало в течение следующих 12 месяцев после презентации, т.е. примерно к середине 2029 года.
Таким образом, SoftBank и Intel намерены быстро масштабировать выпуск Z‑Angle Memory, обеспечив более доступный и энергоэффективный вариант памяти для будущих высокопроизводительных систем.
Asted Cloud
Комментарии (0)
Оставьте отзыв — пожалуйста, будьте вежливы и по теме.
Войти, чтобы комментировать