Intel представила технологию 18A‑P: более быстрая, энергоэффективная и с усовершенствованным охлаждением

Intel представила технологию 18A‑P: более быстрая, энергоэффективная и с усовершенствованным охлаждением

8 hardware

Intel усиливает линейку чипов 18 A и готовит новую версию – 18 A‑P

Компания Intel продолжает массовое производство микросхем, построенных по технологическому процессу 18 A (1,8 нм). В то же время в работе находится улучшенная версия этого процесса – 18 A‑P, которая должна выйти на рынок в ближайшие кварталы.


Что нового в 18 A‑P?

ПараметрОписание
ТранзисторыВведены два новых типа RibbonFET с окружённым затвором. Они позволяют повышать частоты критических блоков и одновременно снижать энергопотребление в менее требовательных участках.
Контроль вариативностиУлучшено управление разбросом параметров кристаллов: отклонение «быстрых» от «медленных» сократилось, а дисперсия по центру‑кроме пластины уменьшилась.
Пороговое напряжениеДобавлено больше вариантов порогового напряжения (с 4 до более чем 5 пар), что повышает точность сортировки кристаллов и увеличивает долю изделий, удовлетворяющих спецификациям.
ТеплоотводТеплопроводность улучшена на ~50 %. Это позволяет компенсировать более высокую плотность мощности транзисторов с окружённым затвором и снижает деградацию при длительном нагреве.
Энергопотребление / производительностьПо сравнению с базовым 18 A чипы могут либо повысить эффективность на 9 % при той же энергии, либо сократить потребляемую мощность до 18 %, сохраняя прежнюю производительность и сложность.

Как это выглядит в практике

- Сохранённые геометрические параметры: шаг затвора (50 нм) и высоты ячеек (180 нм / 160 нм) остаются теми же, что позволяет перенести существующие дизайны из 18 A на 18 A‑P без кардинальных изменений. Однако для достижения максимальной эффективности всё равно требуется дополнительная оптимизация архитектуры.
- Оптимизация металлических линий: изменены сопротивление и ёмкость металлов, что влияет на скорость сигнала, энергопотребление и задержки (конкретные цифры пока не раскрыты).
- Улучшения в надёжности: более стабильное минимальное рабочее напряжение Vmin для логики и SRAM повышает качество работы при низких токах.


Почему это важно

1. Для потребительских устройств – повышение производительности без увеличения тепловыделения делает чипы более привлекательными для смартфонов, ноутбуков и других портативных гаджетов.
2. Для серверов и дата‑центров – улучшенная теплоотдача и устойчивость к высоким напряжениям повышают надёжность при длительной работе под нагрузкой.
3. Экономический эффект – рост доли качественного кремния с одной пластины ведёт к увеличению выхода годной продукции, что снижает себестоимость чипов.


Итог

Intel продолжает развивать свой 18 A процесс, одновременно готовя более продвинутую версию 18 A‑P. Новые транзисторы RibbonFET, усиленный контроль качества и улучшенные тепловые характеристики обещают значительный прирост эффективности и надёжности, что делает эту технологию привлекательной как для потребительских, так и для профессиональных рынков.

Комментарии (0)

Оставьте отзыв — пожалуйста, будьте вежливы и по теме.

Пока нет комментариев. Оставьте комментарий — поделитесь своим мнением!

Чтобы оставить комментарий, войдите в аккаунт.

Войти, чтобы комментировать