Япония создала 1‑нанометровые полупроводниковые нанотрубки, почти готовые как каналы транзисторов

Япония создала 1‑нанометровые полупроводниковые нанотрубки, почти готовые как каналы транзисторов

11 hardware

Новость о создании сверхтонких полупроводниковых нанотрубок из MoS₂

*Кратко:*
Японские ученые успешно вырастили одностраничные трубки дисульфида молибдена (MoS₂) диаметром около 1 нм – в сто тысяч раз тоньше человеческого волоса. Это первый случай, когда такие структуры получены из неорганического полупроводника, а не из углерода, и они уже могут служить «каналами» для будущих транзисторов с затвором со всех сторон (gate‑all‑around).


Что именно было сделано?

1. Выращивание в «шапке»
- В качестве «формы» использовалась нанотрубка из нитрида бора (BN).
- BN одновременно выступает как изолятор и как контейнер, внутри которого растёт MoS₂.

2. Процесс синтеза
- После серии отжигов в BN‑шапке образуется почти идеальная однослойная трубка MoS₂.
- Полученная структура имеет диаметр ~1 нм и окружена изоляционным слоем BN – фактически готовый канал транзистора.

3. Потенциальное применение
- Такие нанотрубки могут стать основой для транзисторов с затвором, охватывающим канал со всех сторон, что сейчас активно разрабатывается ведущими чип‑производителями.


Почему это важно?

Тип трубкиДиаметр (≈)
Многослойные углеродные10 нм
Однослойные углеродные5 нм
MoS₂‑трубка1 нм

- Тонкость: MoS₂‑трубки в сто тысяч раз тоньше волоса, что делает их одними из самых мелких полупроводниковых структур.
- Новые возможности: Исследователи утверждают, что метод можно применить к другим полупроводникам и даже сверхпроводящим материалам, расширяя спектр технологий за пределы углеродных нанотрубок и графена.


Что дальше?

*Краткосрочная цель:*
Увеличить длину трубки с ~1 нм до 1 µm – в тысячу раз. Это позволит использовать их в практических устройствах, где требуется более длинный канал транзистора.


Итог:
Создание MoS₂‑нанотрубок диаметром 1 нм открывает новый путь к миниатюризации полупроводниковых компонентов и может стать ключевым элементом будущих высокопроизводительных микросхем.

Комментарии (0)

Оставьте отзыв — пожалуйста, будьте вежливы и по теме.

Пока нет комментариев. Оставьте комментарий — поделитесь своим мнением!

Чтобы оставить комментарий, войдите в аккаунт.

Войти, чтобы комментировать