TSMC планирует стартовать пробный выпуск чипов на субнанометровом процессе A10 до 2029 года

TSMC планирует стартовать пробный выпуск чипов на субнанометровом процессе A10 до 2029 года

22 hardware

Краткое резюме новостей о планах TSMC по расширению производства

ПунктЧто сообщено
Выручка от 3‑нм процессов в I квартале25 % от общей выручки компании, как отметил глава TSMC Си Си Вэй (C.C. Wei) на брифинге по финансовым результатам года.
Новые заводы с технологией 3 нмТайвань – новый объект в Южном научном парке, массовый выпуск запланирован на первую половину 2027 г.
США (Аризона) – второй завод тоже будет работать по 3 нм, запуск во вторую половину 2027 г.
Япония (Кумамото) – третий объект, старт производства в 2028 г.
Переоборудование существующего оборудованияНа Тайване оборудование для 5‑нм процессов будет модернизировано под 3 нм.

Детали по новым и расширяемым площадкам

Южный научный парк (Тайвань)

- Новый завод 3 нм – массовый выпуск в первой половине 2027 г.

Аризона, США

- Второй завод 3 нм – запуск во второй половину 2027 г.

Кумамото, Япония

- Третий завод 3 нм – планируется к 2028 г.


Планы по более продвинутым техпроцессам (2 нм и ниже)

ЛокацияЗаводыТехнологииСроки
Баошан, Тайвань (комплекс F20)P1, P2 – 2 нм; P3 – 2 нм и A14Строительство завершится в середине 2026 г.
Гаосюн, Тайвань (комплекс F22)P1, P2 – 2 нм; P3 – 2 нм/ A16; P4 – 2 нм/ A16Установка оборудования на P3 начнётся во II квартале 2026 г.; завершение строительства P4 – январь 2027 г.
Тайна, Тайвань (комплекс A10)P1–P4 – процессы < 1 нмОпытное производство стартует в 2029 г. с объёмом ~5000 пластин/месяц.
Аризона, США (F21)P1 – 4 нм; P2 – 3 нм (установка III квартал 2026 г.)Планы по 2 нм, A16 и A14 для P3‑P5.

*Всего планируется 11 заводов с мощностью от 20 000 до 25 000 пластин в месяц.*


Новые объекты: корпуса и упаковка

ОбъектТехнологияСроки
Первый современный завод по корпусамСтарт строительства второй половине 2026 г.; ввод в эксплуатацию к 2028 г.
Завод AP8 P1 (Тайна)CoWoSПланируется увеличение мощности до > 40 000 единиц/месяц к концу года.
Завод AP7 P1 (Чиайи)WMCM, обслуживает Apple
Завод AP6 (Чжунань)SoICЕжемесячная мощность 10 000 единиц.

Технология CoPoS

- Исследования и разработка: старт установки оборудования в III квартале 2026 г.; год на строительство опытной линии.
- Опытная линия: поставки оборудования к II кварталу 2028 г., проверка и доработка – около года.
- Серийное производство: заказы на оборудование планируется разместить к середине 2029 г.; поставки – в I квартал 2030 г.; готовая продукция появится, скорее всего, в IV квартале 2030 г.


Проект CoWoP (Nvidia + SPIL)

- Ведётся совместная работа с Nvidia и Siliconware Precision Industries.
- Возможны задержки из‑за высокой технической сложности и стоимости.
- Тайваньские производители печатных плат проявляют низкий интерес; проект в основном поддерживается китайскими компаниями.


Итог: TSMC активно расширяет производство, вводя новые объекты по 3 нм как на Тайване, так и за рубежом, а также планирует переход к более продвинутым техпроцессам (2 нм и ниже). Параллельно компания развивает линии для корпусов и упаковки, включая CoWoS и CoPoS, с ожидаемыми запусками в 2027‑2030 годах.

Комментарии (0)

Оставьте отзыв — пожалуйста, будьте вежливы и по теме.

Пока нет комментариев. Оставьте комментарий — поделитесь своим мнением!

Чтобы оставить комментарий, войдите в аккаунт.

Войти, чтобы комментировать