Samsung прекращает производство 2‑D NAND и переводит заводы на изготовление HBM4.

Samsung прекращает производство 2‑D NAND‑флешей и переориентирует заводы на HBM4

В этом году Samsung объявила о полном отказе от производства флэш‑памяти 2‑D NAND. Оставшиеся линии будут перенаправлены в сторону изготовления памяти HBM4, которая сейчас пользуется огромным спросом из‑за стремительного роста ИИ.

Что происходит на заводе Хвасон

По данным *The Elec Korea* Samsung планирует закрыть производство 2‑D NAND на своём объекте в Хвасоне. Вместо полного выведения линии из эксплуатации предприятие переоборудует её для металлизации DRAM – процесса нанесения дорожек, связывающих ячейки памяти внутри чипа.

- Мощность линии 12: от 80 000 до 100 000 12‑дюймовых пластин в месяц.
- Эти пластины ранее использовались исключительно для 2‑D NAND‑флешей, но технология уже устарела после появления 3‑D NAND.

Теперь на этой линии будет производиться DRAM 6‑го поколения (10 нм), используемый в HBM4. Samsung прогнозирует, что общая месячная ёмкость производства DRAM – включая линии 3 и 4 в Пхёнтеке – достигнет примерно 200 000 пластин к концу второго полугодия.

Почему 2‑D NAND уходит

Память 2‑D NAND впервые появилась в конце 1990-х. За последние годы производители постепенно отказались от неё, переходя на более продвинутую 3‑D NAND. Технология 3‑D NAND имеет значительные преимущества: большую ёмкость, лучшую надёжность и существенно выше показатели скорости.

Согласно плану Samsung, окончательное прекращение производства 2‑D NAND запланировано на март. После этого завод полностью перейдёт к выпуску более современных решений – в том числе HBM4, которые востребованы в высокопроизводительных вычислительных системах и ИИ‑приложениях.